用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命

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用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命

更新时间：2025-12-08

- 用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命
- Acta Electronica Sinica Issue 4, Pages: 142-148(1963)
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- Published：1963
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[1]徐葭生.用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命[J].电子学报,1963(04):142-148.

徐葭生. 用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命[J]. Acta Electronica Sinica, 1963, (4): 142-148.
[1]徐葭生.用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命[J].电子学报,1963(04):142-148. DOI：

徐葭生. 用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命[J]. Acta Electronica Sinica, 1963, (4): 142-148. DOI：

利用了将注入载流子分成表面复合项、体内项和扩散项三部分的简化模型

指出造成寿命测短的二个主要因素——表面复合和体内扩散。采用足够的有效注入深度只能消除扩散项的影响。提出了采用适当加长脉冲前沿时间消除表面复合影响的办法

实验结果证实了这种办法的有效性。

利用了将注入载流子分成表面复合项、体内项和扩散项三部分的简化模型

实验结果证实了这种办法的有效性。

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