4H-SiC npn BJT特性研究

龚欣; 张进城; 郝跃; 张晓菊

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4H-SiC npn BJT特性研究

科研通信 | 更新时间：2025-07-16

- 4H-SiC npn BJT特性研究
- Study on Characteristics of 4H-SiC npn BJT
- 电子学报 2003年31卷第S1期页码：2201-2204
- 作者机构：
  
  西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家重大基础研究项目 (973) (No.2002CB311904)
- DOI：
  中图分类号： TN304.2
- 网络出版：2003-12-25，
  
  纸质出版：2003
- 稿件说明：
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龚欣, 张进城, 郝跃, 等. 4H-SiC npn BJT特性研究[J]. 电子学报, 2003,31(S1):2201-2204.

GONG Xin, ZHANG Jin-cheng, HAO Yue, et al. Study on Characteristics of 4H-SiC npn BJT[J]. Acta Electronica Sinica, 2003, 31(S1): 2201-2204.
龚欣, 张进城, 郝跃, 等. 4H-SiC npn BJT特性研究[J]. 电子学报, 2003,31(S1):2201-2204. DOI：

GONG Xin, ZHANG Jin-cheng, HAO Yue, et al. Study on Characteristics of 4H-SiC npn BJT[J]. Acta Electronica Sinica, 2003, 31(S1): 2201-2204. DOI：

摘要

基于二维器件仿真软件Medici对4H-SiC双极型晶体管(BJT)进行了建模

包括能带模型、能带窄变模型、迁移率模型、产生复合模型和不完全电离模型

为4H-SiC的工艺与器件提供了设计平台.在此基础上对4H-SiC BJT器件进行了模拟研究.结果显示

器件基极电流

=1A/m时发射极电流增益为32.4

击穿电压

CEO

大于800V

截止频率

接近1GHZ.

Abstract

A model of 4H-SiC bipolar junction transistor (BJT) based on two- dimensional device simulator M edici is presented.The model

in which bandgap model

mobility model

generation and recombination model and incomplete ionization model are included

provides a design platform for 4H-SiC technologies and devices.The simulation results show that the common-emitter current gain is 32.4 while the base current

equals to 1A/m with the breakdown voltage

CEO

more than 800V and the cut-off frequency

close to 1GHz.

关键词

Keywords

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