薄SiO<sub>2</sub>层击穿特性与临界陷阱密度

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薄SiO₂层击穿特性与临界陷阱密度

论文 | 更新时间：2025-07-02

- 薄SiO₂层击穿特性与临界陷阱密度
- The Breakdown Character of Thin Oxide Film and Critical Trap Density
- 电子学报 2000年28卷第8期页码：59-62
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- 作者简介：
- 基金信息：
  
  上海-AM研究与发展基金资助
- DOI：
  中图分类号：
- 稿件说明：
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薄SiO₂层击穿特性与临界陷阱密度[J]. 电子学报, 2000,28(8):59-62.

The Breakdown Character of Thin Oxide Film and Critical Trap Density[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(8): 59-62.
薄SiO₂层击穿特性与临界陷阱密度[J]. 电子学报, 2000,28(8):59-62. DOI：

The Breakdown Character of Thin Oxide Film and Critical Trap Density[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(8): 59-62. DOI：

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