氮化感应致n-MOSFETsSi/SiO<sub>2</sub>界面应力的研究

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氮化感应致n-MOSFETsSi/SiO₂界面应力的研究

论文 | 更新时间：2025-07-02

- 氮化感应致n-MOSFETsSi/SiO₂界面应力的研究
- Study on Nitridation-Induced Residual Stress near Si/SiO₂ Interface in n-MOSFETs
- 电子学报 2000年28卷第2期页码：49-51
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  香港大学RGC和CRCG基金资助课题
- DOI：
  中图分类号：
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氮化感应致n-MOSFETsSi/SiO₂界面应力的研究[J]. 电子学报, 2000,28(2):49-51.

Study on Nitridation-Induced Residual Stress near Si/SiO₂ Interface in n-MOSFETs[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(2): 49-51.
氮化感应致n-MOSFETsSi/SiO₂界面应力的研究[J]. 电子学报, 2000,28(2):49-51. DOI：

Study on Nitridation-Induced Residual Stress near Si/SiO₂ Interface in n-MOSFETs[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(2): 49-51. DOI：

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