SiGe/SiHBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响

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论文 | 更新时间：2025-07-02

- SiGe/SiHBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响
- Effects of Relative Position between SiGe/Si Interface and pn Junction(EB) in SiGe/Si HBT
- 电子学报 2000年28卷第8期页码：63-65
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家"863"计划 (No.863-307-15-4 (6));国家自然科学基金 (No.69876004);北京市科委高技术重点项目和北京市自然科学基金 (No.4962005);国家自然科学基金重大项目 (No.69896260-06)
- DOI：
  中图分类号：
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SiGe/SiHBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响[J]. 电子学报, 2000,28(8):63-65.

Effects of Relative Position between SiGe/Si Interface and pn Junction(EB) in SiGe/Si HBT[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(8): 63-65.
SiGe/SiHBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响[J]. 电子学报, 2000,28(8):63-65. DOI：

Effects of Relative Position between SiGe/Si Interface and pn Junction(EB) in SiGe/Si HBT[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(8): 63-65. DOI：

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