高倍增超快高压GaAs光电导开关触发瞬态特性分析

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论文 | 更新时间：2025-07-02

- 高倍增超快高压GaAs光电导开关触发瞬态特性分析
- Analysis and Characteristic of High-Gain Ultra-Fast GaAs Photoconductive Switches
- 电子学报 2000年28卷第2期页码：20-23
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金 (No.59407006)资助项目;陕西省教委专项科学基金 (No.99 JK198)资助项目
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  中图分类号：
- 稿件说明：
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高倍增超快高压GaAs光电导开关触发瞬态特性分析[J]. 电子学报, 2000,28(2):20-23.

Analysis and Characteristic of High-Gain Ultra-Fast GaAs Photoconductive Switches[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(2): 20-23.
高倍增超快高压GaAs光电导开关触发瞬态特性分析[J]. 电子学报, 2000,28(2):20-23. DOI：

Analysis and Characteristic of High-Gain Ultra-Fast GaAs Photoconductive Switches[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(2): 20-23. DOI：

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