硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性

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硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性

论文 | 更新时间：2025-07-02

- 硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性
- The Optical Bistability Transient Characteristics of Silicon Optical-electronic Negative Resistance Device
- 电子学报 2000年28卷第8期页码：66-68
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  集成光电子学国家重点联合实验室 (中科院半导体所)开放课题,国家自然科学基金 (No.69896260)
- DOI：
  中图分类号：
- 稿件说明：
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硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性[J]. 电子学报, 2000,28(8):66-68.

The Optical Bistability Transient Characteristics of Silicon Optical-electronic Negative Resistance Device[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(8): 66-68.
硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性[J]. 电子学报, 2000,28(8):66-68. DOI：

The Optical Bistability Transient Characteristics of Silicon Optical-electronic Negative Resistance Device[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(8): 66-68. DOI：

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