a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索

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论文 | 更新时间：2025-07-02

- a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索
- The Structure and 1.54μm Luminescence of Er Defects in a-SiCx∶H and β-SiC
- 电子学报 2000年28卷第8期页码：135-138
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  中科院半导体所材料科学开放实验室资助课题;教育部光学信息技术科学开放实验室资助课题
- DOI：
  中图分类号：
- 稿件说明：
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a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索[J]. 电子学报, 2000,28(8):135-138.

The Structure and 1.54μm Luminescence of Er Defects in a-SiCx∶H and β-SiC[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(8): 135-138.
a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索[J]. 电子学报, 2000,28(8):135-138. DOI：

The Structure and 1.54μm Luminescence of Er Defects in a-SiCx∶H and β-SiC[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(8): 135-138. DOI：

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