6H-SiC反型层电子迁移率的MonteCarlo模拟

尚也淳; 张义门; 张玉明

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6H-SiC反型层电子迁移率的MonteCarlo模拟

论文 | 更新时间：2025-07-16

- 6H-SiC反型层电子迁移率的MonteCarlo模拟
- Monte Carlo Study of Electron Transport in Inversion Layer of 6H-SiC MOS Structure
- 电子学报 2001年29卷第2期页码：157-159
- 作者机构：
  
  西安电子科技大学微电子所,西安,710071
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN304.0
- 纸质出版：2001
- 稿件说明：
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尚也淳, 张义门, 张玉明. 6H-SiC反型层电子迁移率的MonteCarlo模拟[J]. 电子学报, 2001,29(2):157-159.

SHANG Ye-chun, ZHANG Yi-men, ZHANG Yu-ming. Monte Carlo Study of Electron Transport in Inversion Layer of 6H-SiC MOS Structure[J]. Acta Electronica Sinica, 2001, 29(2): 157-159.
尚也淳, 张义门, 张玉明. 6H-SiC反型层电子迁移率的MonteCarlo模拟[J]. 电子学报, 2001,29(2):157-159. DOI：

SHANG Ye-chun, ZHANG Yi-men, ZHANG Yu-ming. Monte Carlo Study of Electron Transport in Inversion Layer of 6H-SiC MOS Structure[J]. Acta Electronica Sinica, 2001, 29(2): 157-159. DOI：

摘要

用单电子Monte Carlo方法对6H-SiC反型层的电子迁移率进行了模拟

在模拟中采用了一种新的综合的库仑散射的模型

该模型考虑了栅氧化层电荷、界面态电荷、沟道电离杂质电荷的作用以及它们之间的相关性.Monte Carlo模拟的结果表明

当表面有效横向电场高于1.5×10

V/cm时

表面粗糙散射在SiC反型层中起主要作用

而当有效横向电场小于该值时

沟道散射以库仑散射为主.

Abstract

Monte Carlo analysis of inversion layer mobility in 6H-SiC metal oxide semiconductors is presented under the size quantization.The simulation results fit experimental data very well.A new comprehensive model for Coulomb scattering in inversion layers is developed in this paper.The model takes into account the effect of the fixed charge in insulator

the interface-state charge

the charge of the ionized impurities and their correlation.Interface roughness scattering is shown to play a strong role in the high effective transverse field.On the low effective transverse field side

Coulomb scattering becomes important.

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