低能He注入局域寿命控制电导调制型功率器件输运模型

方 健; 李肇基; 李鸿雁; 杨 健

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低能He注入局域寿命控制电导调制型功率器件输运模型

论文 | 更新时间：2025-07-16

- 低能He注入局域寿命控制电导调制型功率器件输运模型
- A Transport Model for Conductivity Modulation Power Device with Localized Lifetime Control by Low Energy He Ion Implantation
- 电子学报 2001年29卷第8期页码：1072-1075
- 作者机构：
  
  电子科技大学微电子研究所,四川,成都,610054
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家"九五"军事电子预研项目 (No.8.3.5.2)
- DOI：
  中图分类号： TN492
- 纸质出版：2001
- 稿件说明：
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方健, 李肇基, 李鸿雁, 等. 低能He注入局域寿命控制电导调制型功率器件输运模型[J]. 电子学报, 2001,29(8):1072-1075.

FANG Jian, LI Zhao-ji, Li Hong-yan, et al. A Transport Model for Conductivity Modulation Power Device with Localized Lifetime Control by Low Energy He Ion Implantation[J]. Acta Electronica Sinica, 2001, 29(8): 1072-1075.
方健, 李肇基, 李鸿雁, 等. 低能He注入局域寿命控制电导调制型功率器件输运模型[J]. 电子学报, 2001,29(8):1072-1075. DOI：

FANG Jian, LI Zhao-ji, Li Hong-yan, et al. A Transport Model for Conductivity Modulation Power Device with Localized Lifetime Control by Low Energy He Ion Implantation[J]. Acta Electronica Sinica, 2001, 29(8): 1072-1075. DOI：

摘要

提出一种低能He注入局域寿命控制电导调制型功率器件的双极输运模型.借助三区双极输运方程导出稳态的非平衡载流子浓度分布和正向压降.借助电荷控制法并引入有效寿命概念获得反向恢复时间.理论分析和实验结果表明这种器件的反向恢复时间减小到常规器件的1/2以下

而正向压降仅增加10％.

Abstract

A transport model for conductivity modulation power devices with localized lifetime control by low energy He ion implantation is developed in this paper.The distribution of carriers and the forward drop of a conductivity modulation power device with localized lifetime control is obtained

based on the solution of 3-region ambipolar transport equations.The reverse recovery time is also obtained by using charge-controlled method.The results of the theoretical analysis and the experiments demonstrate that the reverse recovery time of power devices decreases to below 1/2

and forward drop only increases by a factor of 0.1 times.

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