1. 清华大学材料科学与工程系,北京,100084
2. 电子科技大学信息材料工程学院,四川,成都,610054
3. 山东大学化学系,山东,济南,250100
4. 清华大学材料科学与工程系北京,100084
5. 电子科技大学信息材料工程学院四川成都,610054
6. 山东大学化学系山东济南,250100
纸质出版:2001
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谢 丹, 蒋亚东, 姜健壮, 等. 一种新型气敏传感器的研究[J]. 电子学报, 2001,29(8):1083-1085.
XIE Dan, JIANG Ya-dong, JIANG Jian-zhuang, et al. Study on a Novel Gas Sensor[J]. Acta Electronica Sinica, 2001, 29(8): 1083-1085.
本文以一种新型有机半导体材料——三明治型稀土金属元素镨双酞菁配合物(Pr
2
) 为气敏材料
利用Langmuir-Blodgett(LB)超薄膜技术
将Pr
2
以1:3的配比与十八烷醇(OA)的混合LB多层膜(Pr
2
/OA)拉制在自行设计的场效应晶体管上
形成了一种新型的以LB膜取代通常的MOSFET中栅金属的化学场效应管器件.将该器件放入NO
2
气体中
随着气体浓度和LB膜层数的变化
器件的漏电流
I
DS
将产生0.05×10
-6
A~1.5×10
-6
A的变化
探测灵敏度可达到5ppmNO
2
这种气敏传感器的气敏特性受到FET的电流放大作用和LB膜有序性的影响.
A new kind of sandwich-like Praseodymium bis complex Pr(Pc
*
)
2
(Pc
*
=Pc(OC
8
H
17
)
8
;R=OC
8
H
17
)is used as film-forming material.Mixed ultrathin films of 1:3 Pr(Pc
*
)
2
:octadecanol(OA) have been fabricated using Langmuir-Blodgett (LB) technique.A new gas-sensing device——LB-OS chemFET has been designed on which the Pr(Pc
*
)
2
/OA mixed LB film is deposited replacing the gate metal of conventional MOSFET.The sensitive property of Pr(Pc
*
)
2
/OA mixed LB film to nitrogen dioxide (NO
2
) gas is studied by the change of drain current(
I
DS
) during gas exposure.The chemFET consisting of Pr(Pc
*
)
2
/OA mixed LB film can detect NO
2
gas down to 5ppm.The qualities are attributed to the amplification by the FET and the ordered nature of LB film.The mechanism of sensitivity of Pr(Pc
*
)
2
/OA mixed LB film to NO
2
is also studied in the paper.
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