衬底热电子增强的薄SiO<sub>2</sub>层击穿特性研究

刘红侠; 郝 跃; 黄 涛; 方建平

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衬底热电子增强的薄SiO₂层击穿特性研究

论文 | 更新时间：2025-07-16

- 衬底热电子增强的薄SiO₂层击穿特性研究
- Study of Substrate Hot Electron Enhanced Breakdown Characteristics of Thin SiO₂
- 电子学报 2001年29卷第11期页码：1468-1470
- 作者机构：
  
  西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家九五国防预研项目 (No.8.5.4.3)
- DOI：
  中图分类号： TN304
- 纸质出版：2001
- 稿件说明：
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刘红侠, 郝跃, 黄涛, 等. 衬底热电子增强的薄SiO₂层击穿特性研究[J]. 电子学报, 2001,29(11):1468-1470.

LIU Hong-xia, HAO Yue, HUANG Tao, et al. Study of Substrate Hot Electron Enhanced Breakdown Characteristics of Thin SiO₂[J]. Acta Electronica Sinica, 2001, 29(11): 1468-1470.
刘红侠, 郝跃, 黄涛, 等. 衬底热电子增强的薄SiO₂层击穿特性研究[J]. 电子学报, 2001,29(11):1468-1470. DOI：

LIU Hong-xia, HAO Yue, HUANG Tao, et al. Study of Substrate Hot Electron Enhanced Breakdown Characteristics of Thin SiO₂[J]. Acta Electronica Sinica, 2001, 29(11): 1468-1470. DOI：

摘要

本文通过衬底热电子SHE(Substrate hot electron)注入技术

对SHE增强的薄SiO

层击穿特性进行了研究.实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系.通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子能量

根据计算出的电子能量可以解释SHE注入和F-N隧穿注入的根本不同.本文提出了衬底热电子增强的TDDB(Time dependent dielectric breakdown)模型.

Abstract

SHE (Substrate hot electron) enhanced breakdown characteristics of thin SiO

are investigated by using SHE injection techniques.These experiments reveal that the average electron energy in the oxide depends on substrate voltage strongly.The average electron energy injected into oxide can be calculated by using the energy-conservation equation.The difference between SHE injection and F-N tunneling can be explained in terms of the caculated electron energy.A SHE enhanced TDDB model is presented in this paper.

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