SiCMESFET的大信号电容解析模型

杨林安; 于春利; 张义门; 张玉明

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SiCMESFET的大信号电容解析模型

论文 | 更新时间：2025-07-16

- SiCMESFET的大信号电容解析模型
- An Analytical Large-Signal Capacitance Model for SiC MESFET
- 电子学报 2002年30卷第2期页码：229-231
- 作者机构：
  
  西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  总装国防预研基金 (No.8.1.7.3)
- DOI：
  中图分类号： TN304.0
- 纸质出版：2002
- 稿件说明：
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杨林安, 于春利, 张义门, 等. SiCMESFET的大信号电容解析模型[J]. 电子学报, 2002,30(2):229-231.

YANG Lin-an, YU Chun-li, ZHANG Yi-men, et al. An Analytical Large-Signal Capacitance Model for SiC MESFET[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(2): 229-231.
杨林安, 于春利, 张义门, 等. SiCMESFET的大信号电容解析模型[J]. 电子学报, 2002,30(2):229-231. DOI：

YANG Lin-an, YU Chun-li, ZHANG Yi-men, et al. An Analytical Large-Signal Capacitance Model for SiC MESFET[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(2): 229-231. DOI：

摘要

考虑4H-SiC常温下不完全离化和高饱和电子漂移速度的特点

采用载流子速度饱和理论和电荷控制理论

结合双曲正切函数的描述方法

导出了适用于4H-SiC MESFET在射频功率应用时的大信号电容解析模型

其模拟结果与实验值有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且算法简单的优点

非常适合于微波器件结构及电路的设计.

Abstract

According to the properties of impurities with incomplete ionization and high saturated electron drift velocity in silicon carbide

a quasi analytical large-signal capacitance model of 4H-SiC MESFET for RF power applications is proposed utilizing the charge controlling theory and carrier velocity saturation theory

combined with description of hyperbolic tangent function.The comparison between simulations and measurements shows a good agreement.The model is simple in calculations and distinct in physical mechanism

therefore suitable for design of microwave devices and circuits.

关键词

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