利用场发射显微镜测算碳化钨薄膜的逸出功

孙建平; 张兆祥; 侯士敏; 张耿民; 赵兴钰; 刘惟敏; 薛增泉

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利用场发射显微镜测算碳化钨薄膜的逸出功

论文 | 更新时间：2025-07-16

- 利用场发射显微镜测算碳化钨薄膜的逸出功
- Work Function of Tungsten Carbide Thin Film Calculated Using Field Emission Microscopy
- 电子学报 2002年30卷第5期页码：655-657
- 作者机构：
  
  北京大学电子学系,北京,100871
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金 (No.69890221,69971003);教育部科学技术研究重点项目基金 (No.00005)
- DOI：
  中图分类号： TN304
- 纸质出版：2002
- 稿件说明：
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孙建平, 张兆祥, 侯士敏, 等. 利用场发射显微镜测算碳化钨薄膜的逸出功[J]. 电子学报, 2002,30(5):655-657.

SUN Jian-ping, ZHANG Zhao-xiang, HOU Shi-min, et al. Work Function of Tungsten Carbide Thin Film Calculated Using Field Emission Microscopy[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(5): 655-657.
孙建平, 张兆祥, 侯士敏, 等. 利用场发射显微镜测算碳化钨薄膜的逸出功[J]. 电子学报, 2002,30(5):655-657. DOI：

SUN Jian-ping, ZHANG Zhao-xiang, HOU Shi-min, et al. Work Function of Tungsten Carbide Thin Film Calculated Using Field Emission Microscopy[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(5): 655-657. DOI：

摘要

在1×10

-6

~10

-5

Pa环境压强下

经过高温退火处理

在钨针尖上形成了碳化钨薄膜

利用场发射显微镜观察到清楚的钨单晶基底上碳化钨薄膜的场发射图像;对碳化钨薄膜的场发射I-V特性及Fowler-Nordheim曲线进行测量和计算;用透射电镜测得针尖曲率半径并估算出比例因子β

利用Fowler-Nordheim公式计算得到碳化钨薄膜的逸出功约为3.79eV.

Abstract

Under pressure of 1×10

-6

~10

-5

a thin film of tungsten carbide is formed on the surface of tungsten tip of field emission microscopy after certain annealing treatment.Typical field emission patterns of tungsten carbide thin film is observed

and its I-V behavior and Fowler-Nordheim plot is measured.Using transmission electron microscopy

we measure the curvature radius of emission tip

and estimate the ratio factor β with an empirical formula

then calculate the work function φ of tungsten carbide thin film to be 3.79eV according to Fowler-Nordheim formula.

关键词

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