线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究

何 进; 张 兴; 黄 如; 王阳元

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线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究

论文 | 更新时间：2025-07-16

- 线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究
- Study on Extraction of Stress-Induced Interface Traps in MOSFETs by Linear Cofactor Differernce Subthreshold Voltage Peak Technique
- 电子学报 2002年30卷第8期页码：1108-1110
- 作者机构：
  
  1. 北京大学微电子学研究所,北京,100871
  2. 美国加州大学BERKELEY分校EECS系,美国加州,94720
  3. 北京大学微电子学研究所北京,100871
  4. 美国加州大学BERKELEY分校EECS系美国加州,94720
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN304
- 纸质出版：2002
- 稿件说明：
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何进, 张兴, 黄如, 等. 线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究[J]. 电子学报, 2002,30(8):1108-1110.

HE Jin, ZHANG Xing, HUANG Ru, et al. Study on Extraction of Stress-Induced Interface Traps in MOSFETs by Linear Cofactor Differernce Subthreshold Voltage Peak Technique[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(8): 1108-1110.
何进, 张兴, 黄如, 等. 线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究[J]. 电子学报, 2002,30(8):1108-1110. DOI：

HE Jin, ZHANG Xing, HUANG Ru, et al. Study on Extraction of Stress-Induced Interface Traps in MOSFETs by Linear Cofactor Differernce Subthreshold Voltage Peak Technique[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(8): 1108-1110. DOI：

摘要

本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证.详细介绍了该方法的基本原理和实验实现

得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系.该方法具有普适性

可用于MOSFET的一般可靠性研究和寿命预测.

Abstract

A new experimental technique namely the linear cofactor difference sub-threshold voltage method is presented in this paper for extraction of the MOSFET interface traps induced by the gate oxide stress test and verified on N-MOSFETs.The basic principle of this technique is introduced and the experimental realization is elucidated in details.It is shown that this method enables reliable extraction of the increased interface traps with a rise of the accumulated gate oxide stress test time to be obtained and that its validity is also verified by the extraction experiments on an n-channel MOSFET device.This method will be a new tool in characterizing and predicting reliability and lifetime of MOFSTs.

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