2-GHz CMOS射频低噪声放大器的设计与测试

林 敏; 王海永; 李永明; 陈弘毅

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2-GHz CMOS射频低噪声放大器的设计与测试

论文 | 更新时间：2025-07-16

- 2-GHz CMOS射频低噪声放大器的设计与测试
- Design and Test of 2-GHz CMOS RF Low Noise Amplifier
- 电子学报 2002年30卷第9期页码：1278-1281
- 作者机构：
  
  清华大学微电子学研究所,北京,100084
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN4
- 纸质出版：2002
- 稿件说明：
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林敏, 王海永, 李永明, 等. 2-GHz CMOS射频低噪声放大器的设计与测试[J]. 电子学报, 2002,30(9):1278-1281.

LIN Min, WANG Hai-yong, LI Yong-ming, et al. Design and Test of 2-GHz CMOS RF Low Noise Amplifier[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(9): 1278-1281.
林敏, 王海永, 李永明, 等. 2-GHz CMOS射频低噪声放大器的设计与测试[J]. 电子学报, 2002,30(9):1278-1281. DOI：

LIN Min, WANG Hai-yong, LI Yong-ming, et al. Design and Test of 2-GHz CMOS RF Low Noise Amplifier[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(9): 1278-1281. DOI：

摘要

本文采用CMOS工艺

针对无线通信系统前端(Front-end)的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试.测试结果表明

该放大器工作在2.04-GHz的中心频率上

3dB带宽约为110MHz

功率增益为22dB

NF小于3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好地吻合.

Abstract

Design and test of a 2-GHz RF low noise amplifier(LNA)implemented with CMOS technology is presented here.Measurement results show this amplifier works well centered at 2.04GHz frequency

with a 22dB forward power gain(S21)and a noise figure(NF) less than 3.3dB.It has a fairly wide 3-dB bandwidth which is 110MHz

suitable for most portable wireless applications.

关键词

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