基于迁移率波动的MOSFET线性区域1／f噪声模型

徐建生; 周求湛; 张新发

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

基于迁移率波动的MOSFET线性区域1／f噪声模型

论文 | 更新时间：2025-07-16

- 基于迁移率波动的MOSFET线性区域1／f噪声模型
- A Novel MOSFET 1/f Noise Model Based on Mobility Fluctuation for Linear Region
- 电子学报 2002年30卷第8期页码：1192-1195
- 作者机构：
  
  吉林大学通信工程学院测控及通信仪器系,吉林,长春,130025
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN722
- 纸质出版：2002
- 稿件说明：
移动端阅览
徐建生, 周求湛, 张新发. 基于迁移率波动的MOSFET线性区域1／f噪声模型[J]. 电子学报, 2002,30(8):1192-1195.

XU Jian-sheng, ZHOU Qiu-zhan, ZHANG Xin-fa. A Novel MOSFET 1/f Noise Model Based on Mobility Fluctuation for Linear Region[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(8): 1192-1195.
徐建生, 周求湛, 张新发. 基于迁移率波动的MOSFET线性区域1／f噪声模型[J]. 电子学报, 2002,30(8):1192-1195. DOI：

XU Jian-sheng, ZHOU Qiu-zhan, ZHANG Xin-fa. A Novel MOSFET 1/f Noise Model Based on Mobility Fluctuation for Linear Region[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(8): 1192-1195. DOI：

摘要

统一的1/

噪声模型

例如BSIM3模型

已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用

在多数情况下有很好的效果.然而文献[1

]

中基于物理机理分析的研究表明

统一的1/

噪声模型对处于线性区p-MOSFET不能进行正确的描述:当偏置电压

增加时

该模型低估了噪声功率的增加.据此

本文提出了一种基于物理机理的迁移率波动(MF)1/

噪声模型

并给出了新MF模型与统一的1/

噪声模型在线性区的仿真结果.从仿真结果可以看出

新噪声模型更接近于测试的结果.

Abstract

The unified 1/

noise model

such as BSIM3

has been widely used as noise prediction and analysis model

and it works very well in most cases.However

based on physical analysis in [1

]

it is pointed out that the unified 1/

noise model may not be suitable to predict the 1/

noise for p-type MOSFETs in linear regime because it underestimates noise power so much as bias

increases.In this paper

a physically based expression for mobility fluctuation (MF) 1/

noise model is derived and simulation results for the new MF model and unified 1/

noise are presented together in linear region.The results show that the new models are in agreement with the experimental data well.

关键词

Keywords

references

浏览量

1515

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

对表面势为基础的MOSFET片电荷模型的基本检验