您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
低温金属诱导横向晶化多晶硅材料和器件技术
低温金属诱导横向晶化多晶硅材料和器件技术
Low-Temperature Metal-Induced Laterally Crystallized Polycrystalline Silicon Material and Device Technology
- 电子学报 2003年31卷第5期 页码：662-666
移动端阅览
HTML全文
参考文献
出版信息
数据统计
54
浏览量
1520
下载量
4
CSCD
文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
- BibTeX下载
- Endnote下载
- RefMan 下载
- NoteExpress下载
- NoteFirst下载
相关文章
氧化物半导体薄膜晶体管的栅工程：材料、结构、界面与性能调控
基于LaFMD处理的新型阈值调控技术研究
低轨卫星网络自适应随机接入研究
面向多类型二值分割任务的混合专家自适应统一框架
MDW：最小双权差分特征搜索模型
相关作者
谢雨农
张志勇
相关机构
中国计量大学计量测试与仪器学院
北京大学电子学院纳米器件物理与化学教育部重点实验室碳基电子学研究中心
