基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究

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基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究

论文 | 更新时间：2025-07-16

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- 基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究
- Modeling and Characterization of Deep-Submicron MOSFET with Short-Channel Effect Based on BSIM^TM
- 赵阳，Parke Stephen ，Burke Franklyn
- 电子学报 2004年32卷第5期页码：841-844
- 作者机构：
  1. 南京师范大学电气与电子工程学院,江苏,南京,210042
  2. 美国爱达荷州Boise州立大学电气与计算机系,ID83706,USA
  3. 南京师范大学电气与电子工程学院江苏南京,210042
  4. 美国爱达荷州Boise州立大学电气与计算机系06USA,ID837
- 作者简介：
- 基金信息：
  江苏省自然科学基金 (No.BK2003099);教育部留学回国人员科研启动基金 (No.教外司[2003]406);部分受美国国家自然科学基金 (No.EPS-9977454)
- DOI：
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