CDMA-800MHz频段低温低驻波比放大电路设计

高飞; 张晓平; 曹必松; 高葆新

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CDMA-800MHz频段低温低驻波比放大电路设计

论文 | 更新时间：2025-07-16

- CDMA-800MHz频段低温低驻波比放大电路设计
- Design and Analysis of Cryocooled LNA Circuit with Low VSWR
- 电子学报 2005年33卷第9期页码：1626-1628
- 作者机构：
  
  1. 清华大学深圳研究生院,北京,100084
  2. 清华大学物理系,北京,100084
  3. 清华大学深圳研究生院北京,100084
  4. 清华大学物理系北京,100084
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家863项目 (No.60071005);北京科委项目和国家自然科学基金项目 (No.60171016)
- DOI：
  中图分类号： TN722.3
- 纸质出版：2005
- 稿件说明：
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高飞, 张晓平, 曹必松, 等. CDMA-800MHz频段低温低驻波比放大电路设计[J]. 电子学报, 2005,33(9):1626-1628.

GAO Fei, ZHANG Xiao-ping, CAO Bi-song, et al. Design and Analysis of Cryocooled LNA Circuit with Low VSWR[J]. Acta Electronica Sinica, 2005, 33(9): 1626-1628.
高飞, 张晓平, 曹必松, 等. CDMA-800MHz频段低温低驻波比放大电路设计[J]. 电子学报, 2005,33(9):1626-1628. DOI：

GAO Fei, ZHANG Xiao-ping, CAO Bi-song, et al. Design and Analysis of Cryocooled LNA Circuit with Low VSWR[J]. Acta Electronica Sinica, 2005, 33(9): 1626-1628. DOI：

摘要

为用HEMT晶体管设计L波段低驻波比放大电路

本文用输入无源复反射系数在输出反射平面上的共轭匹配区表达式

将驻波比约束转化为无源匹配区域的映射.同时为了计算放大电路低温下噪声

通过有损输入模型导出了噪声的温度关系式.实测CDMA-830MHz高温超导前端放大器噪声温度小于30K

输入驻波比小于1.3

输出驻波比小于1.8

增益大于17dB.

Abstract

L band HEMT amplifiers applied inmobile communications must have low input VSWR

In this paper a graphic method is proposed to map the conjugated matched ΓL to Γs plane to find optimized matching network.To calculate cryocooled LNA's NF a lossy input network model is built and a temperature-dependent NF formula is obtained and verified experimentally.The cryocooled LNA in HTS front end is measured with Noise Temperature ＜30 K

VSWRi ＜1.3 and VSWRo ＜1.8

Gain ＞17dB.

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