1. 国防科学技术大学电子科学与工程学院,湖南,长沙,410073
2. 空军工程大学电讯工程学院,陕西,西安,710077
3. 国防科学技术大学电子科学与工程学院湖南长沙,410073
4. 空军工程大学电讯工程学院陕西西安,710077
纸质出版:2007
移动端阅览
郑秋容, 李有权, 张辉, 等. 高阻表面交指形电容设计公式的改进[J]. 电子学报, 2007,35(12):2319-2323.
ZHENG Qiu-rong, LI You-quan, ZHANG Hui, et al. Revision of Inter-Digital Capacitance of High Impedance Ground Plane Design Formulas[J]. Acta Electronica Sinica, 2007, 35(12): 2319-2323.
本文采用保角变换法和电容拼接技术对交指形电容进行精确的计算
对交指形高阻表面光子晶体设计公式进行了改进.该计算模型适用于宽范围的介电常数和介质层厚度
各指长度和缝隙宽度可以不同
并且很容易扩展到多层介质以及有覆盖层的情况.设计了三个光子晶体例子
对其表面波特性进行了模拟和测试
得出交指电容值
证明本文给出的计算公式更准确.
Conformal mapping-based method and partial capacitance method are given to accurately calculate inter-digital capacitance and the inter-digital high impedance ground plane (HIGP) design formulas are revised.The models are useful for a wide range of dielectric constants and layer thickness.Every finger length and spacing may be different;moreover
the derived formulas can easily extend to multi-layer dielectric including cover layer.Three samples of the inter-digital high impedance ground plane are manufactured and the surface wave propagating property of the inter-digital HIGP are simulated and tested to demonstrate the potential of the models.
0
浏览量
1424
下载量
2
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构
京公网安备11010802024621