具有快速瞬态响应和低静态电流的CMOS低漏失稳压器设计

李演明; 来新泉; 贾新章; 曹 玉; 叶 强

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具有快速瞬态响应和低静态电流的CMOS低漏失稳压器设计

论文 | 更新时间：2025-07-16

- 具有快速瞬态响应和低静态电流的CMOS低漏失稳压器设计
- A Fast-Transient Response and Low-Quiescent Current CMOS Low-Dropout Regulator
- 电子学报 2009年37卷第5期页码：1130-1135
- 作者机构：
  
  1. 西安电子科技大学电路CAD研究所,陕西,西安,710071
  2. 西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071
  3. 西安电子科技大学电路CAD研究所陕西西安,710071
  4. 西安电子科技大学微电子研究所陕西西安,710071
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家部委重点预研资助 (No.D1120060967,Y30306270105);国家自然科学基金 (No.60876023);教育部超高速电路与电磁兼容重点实验室专项资助 (No.YZCB2008008)
- DOI：
  中图分类号： TN432
- 纸质出版：2009
- 稿件说明：
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李演明, 来新泉, 贾新章, 等. 具有快速瞬态响应和低静态电流的CMOS低漏失稳压器设计[J]. 电子学报, 2009,37(5):1130-1135.

LI Yan-ming, LAI Xin-quan, JIA Xin-zhang, et al. A Fast-Transient Response and Low-Quiescent Current CMOS Low-Dropout Regulator[J]. Acta Electronica Sinica, 2009, 37(5): 1130-1135.
李演明, 来新泉, 贾新章, 等. 具有快速瞬态响应和低静态电流的CMOS低漏失稳压器设计[J]. 电子学报, 2009,37(5):1130-1135. DOI：

LI Yan-ming, LAI Xin-quan, JIA Xin-zhang, et al. A Fast-Transient Response and Low-Quiescent Current CMOS Low-Dropout Regulator[J]. Acta Electronica Sinica, 2009, 37(5): 1130-1135. DOI：

摘要

设计了一种具有快速瞬态响应能力的低漏失稳压器

利用提出的一种瞬态响应加速(Transient Response Enhancement

TRE)电路

有效地提高了稳压器的瞬态响应速度

而且瞬态响应速度的提高并不增加静态电流.设计的LDO电路采用0.5μm标准CMOS工艺投片验证

芯片面积为0.49mm

.该LDO空载下的静态电流仅23μA

最大带载200mA.在1μF输出电容、200mA/100ns负载阶跃变化时的最大瞬态输出电压变化量小于3.5％.

Abstract

A low-dropout regulator (LDO) with fast-transient response speed is presented by utilizing the proposed transient response enhancement (TRE) circuit

which doesn't bring the quiescent current increase.The proposed LDO has been fabricated in a 0.5 μm standard CMOS process

and the die area is 0.49mm

.The proposed LDO dissipates 23 μA quiescent current at no-load condition and is able to deliver up to 200mA load current.With a 1 μF output capacitor

the maximum transient output-voltage variation is within 3.5% of the output voltage with load step changes of 200mA/100ns.

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