一种可用于硅刻蚀工艺模拟的三维表面演化算法

张鉴; 戚昊琛; 徐栋梁; 胡智文

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

一种可用于硅刻蚀工艺模拟的三维表面演化算法

学术论文 | 更新时间：2025-07-16

- 一种可用于硅刻蚀工艺模拟的三维表面演化算法
- A 3-D Surface Evolvement Algorithm for Silicon Etching Simulations
- 电子学报 2011年39卷第8期页码：1869-1872
- 作者机构：
  
  1. 合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽,合肥,230009
  2. 温州大学瓯江学院,浙江,温州,325035
  3. 合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽合肥,230009
  4. 温州大学瓯江学院浙江温州,325035
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  安徽省教育厅省级自然科学研究计划重点基金 (No.KJ2008A105);东南大学MEMS教育部重点实验室开放研究基金;中央高校基本科研业务费专项资金 (No.2011HGQC0997)
- DOI：
  中图分类号： TN30
- 纸质出版：2011
- 稿件说明：
移动端阅览
张鉴, 戚昊琛, 徐栋梁, 等. 一种可用于硅刻蚀工艺模拟的三维表面演化算法[J]. 电子学报, 2011,39(8):1869-1872.

ZHANG Jian, QI Hao-chen, XU Dong-liang, et al. A 3-D Surface Evolvement Algorithm for Silicon Etching Simulations[J]. Acta Electronica Sinica, 2011, 39(8): 1869-1872.
张鉴, 戚昊琛, 徐栋梁, 等. 一种可用于硅刻蚀工艺模拟的三维表面演化算法[J]. 电子学报, 2011,39(8):1869-1872. DOI：

ZHANG Jian, QI Hao-chen, XU Dong-liang, et al. A 3-D Surface Evolvement Algorithm for Silicon Etching Simulations[J]. Acta Electronica Sinica, 2011, 39(8): 1869-1872. DOI：

摘要

针对硅微加工中的刻蚀工艺模拟应用

提出了一种基于点元网格和单位法向量的三维表面演化算法.在形成的连续曲面上

以高斯积分法得到点元步进的单位法向量

实现三维表面的构建与推进.根据典型的刻蚀工艺及其物理模型

该表面演化算法能够用于硅等离子体刻蚀等与表面演化方向相关的工艺模拟.参照简单的各向同性刻蚀

利用该三维算法实现了不同视角的三维硅刻蚀工艺的模拟结果

通过与相关实验结果的对比

验证了这种新型三维表面演化算法对相关工艺描述的实用性与准确性.

Abstract

We used unit vectors of the parametric surface cells as an important parameter to achieve the surface evolution algorithm.Instead of the normal vectors of facet cells

Gauss integration is adopted to calculate the normal vectors of the surface cells

so as to determine the evolvement directions of the cells.The simulation results of this algorithm were 3-D visible of variable perspective.If a physical model of given fabrication is provided

it can be applied to other processes with surface evolution direction dependence.Some isotropic etching simulations were performed as examples

and the results indicate the accurate simulated surface.

关键词

Keywords

references

浏览量

1809

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

用于光刻胶刻蚀过程模拟的二维动态CA模型

集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的校验