0.25μm CMOS工艺实现的3.125 Gb/s×12通道VCSEL驱动器阵列

黄; 王志功; 李连鸣; 王晓明; 乔庐峰

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0.25μm CMOS工艺实现的3.125 Gb/s×12通道VCSEL驱动器阵列

论文 | 更新时间：2025-07-16

- 0.25μm CMOS工艺实现的3.125 Gb/s×12通道VCSEL驱动器阵列
- Monolithically Integrated 0.25μm CMOS VCSEL Driver Array for 3.125Gb/s×12 Channels Parallel Optical Interface
- 电子学报 2004年32卷第2期页码：323-325
- 作者机构：
  
  东南大学射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家高技术研究发展计划 (863计划)资助项目 (No.2001AA312080)
- DOI：
  中图分类号： TN722
- 纸质出版：2004
- 稿件说明：
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黄, 王志功, 李连鸣, 等. 0.25μm CMOS工艺实现的3.125 Gb/s×12通道VCSEL驱动器阵列[J]. 电子学报, 2004,32(2):323-325.

HUANG Ting, WANG Zhi-gong, LI Lian-ming, et al. Monolithically Integrated 0.25μm CMOS VCSEL Driver Array for 3.125Gb/s×12 Channels Parallel Optical Interface[J]. Acta Electronica Sinica, 2004, 32(2): 323-325.
黄, 王志功, 李连鸣, 等. 0.25μm CMOS工艺实现的3.125 Gb/s×12通道VCSEL驱动器阵列[J]. 电子学报, 2004,32(2):323-325. DOI：

HUANG Ting, WANG Zhi-gong, LI Lian-ming, et al. Monolithically Integrated 0.25μm CMOS VCSEL Driver Array for 3.125Gb/s×12 Channels Parallel Optical Interface[J]. Acta Electronica Sinica, 2004, 32(2): 323-325. DOI：

摘要

本文介绍了一种利用0.25μm CMOS工艺实现的12通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动器电路.该电路采用3.3V单电源供电

单通道最大输出调制电流超过30毫安

单通道工作速率达到3.125Gb/s

12个并行通道的总带宽为37.5Gb/s.

Abstract

A 12-channel vertical-cavity-surface-emitting laser (VCSEL) array driver chip has been realized in a 0.25μm CMOS technology.The maximum output modulation current of a single channel is over 30 mA.Experimental results show that a single channel has a speed of 3.125Gb/s and a total capacity of 37.5Gb/s can be obtained from 12 channels.

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