砷化镓8Bit ADC电路的抗辐射设计和辐照试验研究

田国平; 王丽; 朱思成

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砷化镓8Bit ADC电路的抗辐射设计和辐照试验研究

学术论文 | 更新时间：2025-07-16

- 砷化镓8Bit ADC电路的抗辐射设计和辐照试验研究
- Research on Anti-Radiation Design and Irradiation Test of GaAs 8Bit ADC Circuit
- 电子学报 2011年39卷第5期页码：1042-1046
- 作者机构：
  
  1. 专用集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051
  2. 中国国防科技信息中心,北京,100036
  3. 专用集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄,050051
  4. 中国国防科技信息中心北京,100036
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN305
- 网络出版：2011-05-25，
  
  纸质出版：2011
- 稿件说明：
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田国平, 王丽, 朱思成. 砷化镓8Bit ADC电路的抗辐射设计和辐照试验研究[J]. 电子学报, 2011,39(5):1042-1046.

TIAN Guo-ping, WANG Li, ZHU Si-cheng. Research on Anti-Radiation Design and Irradiation Test of GaAs 8Bit ADC Circuit[J]. Acta Electronica Sinica, 2011, 39(5): 1042-1046.
田国平, 王丽, 朱思成. 砷化镓8Bit ADC电路的抗辐射设计和辐照试验研究[J]. 电子学报, 2011,39(5):1042-1046. DOI：

TIAN Guo-ping, WANG Li, ZHU Si-cheng. Research on Anti-Radiation Design and Irradiation Test of GaAs 8Bit ADC Circuit[J]. Acta Electronica Sinica, 2011, 39(5): 1042-1046. DOI：

摘要

砷化镓模数转换器(ADC)具有良好的电性能和耐辐照能力

广泛应用于各种领域

尤其是航空航天领域.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关

在前期对电路进行辐照试验基础上

针对电路设计和工艺制造进行大规模集成电路的抗辐射研究

改进电路的设计和工艺制造技术

提高电路的抗辐射能力.本文主要对该电路的设计、工艺研究和

总剂量辐照试验进行描述

试验结果表明该模数转换器能够抗100K rad(Si)总剂量的辐照.

Abstract

GaAs Analog to Digital Converter(ADC) has been widely used in various fields especially in aerospace because of its good electrical and anti-radiation properties.The anti-radiation ability of circuit is closely related to circuit design and process technology.On the base of prophase study

we research on the anti-radiation ability of LSI(Large Scale Intergrated circuit) and improve circuit design and manufacturing process technology to enhance radiation resistance of the circuit.This paper focuses on the circuit design

process technology and

total dose radiation.

关键词

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