带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器

李志强; 张 健; 张海英

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带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器

论文 | 更新时间：2025-07-16

- 带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器
- C-Band Monolithic GaAs pHEMT Resistive Single-Balanced Mixer with Miniaturized Balun
- 电子学报 2008年36卷第12期页码：2454-2457
- 作者机构：
  
  中国科学院微电子研究所,北京,100029
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家重点基础研究规划资助项目 (No.G2002CB311901)
- DOI：
  中图分类号： TN77
- 网络出版：2008-12-25，
  
  纸质出版：2008
- 稿件说明：
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李志强, 张健, 张海英. 带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器[J]. 电子学报, 2008,36(12):2454-2457.

LI Zhi-qiang, ZHANG Jian, ZHANG Hai-ying. C-Band Monolithic GaAs pHEMT Resistive Single-Balanced Mixer with Miniaturized Balun[J]. Acta Electronica Sinica, 2008, 36(12): 2454-2457.
李志强, 张健, 张海英. 带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器[J]. 电子学报, 2008,36(12):2454-2457. DOI：

LI Zhi-qiang, ZHANG Jian, ZHANG Hai-ying. C-Band Monolithic GaAs pHEMT Resistive Single-Balanced Mixer with Miniaturized Balun[J]. Acta Electronica Sinica, 2008, 36(12): 2454-2457. DOI：

摘要

本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器.Balun 采用集总—分布式结构

使其长度与常用

λ/4

耦合线Balun相比缩小了11倍

大大降低了将无源Balun应用于C波段单片集成电路中所需的芯片尺寸.混频器采用单平衡电阻性结构

在零功耗的情况下实现了良好的线性和口间隔离性能.测试结果显示

在固定中频160MHz

本振输入功率0dBm条件下

在3.5~5GHz RF频带内

最小变频损耗为8.3dB

1dB压缩点功率为8.0dBm

LO至IF之间的隔离度为38dB.

Abstract

A C-band GaAs pHEMT single-balanced resistive mixer with miniaturized balun is presented.By using lumped-distributed structure

the coupled-line length was reduced by a factor of 11 compared with the conventional

λ/4

coupled-line balun.This balun was then used in a resistive mixer to transform the input single-ended signal into differential.The mixer achieved good linearity and port isolation performance with zero power consumption.Test results showed that

with a fixed IF of 160 MHz and 0dBm LO power

the minimum conversion loss is 8.3dB in 3.5~5GHz RF frequency range.The measured 1dB compression point is 8dBm and the LO-to-IF isolation is better than 38dB.

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