您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
一种新的确定少子产生特性的方法——瞬态电容弛豫谱方法
更新时间:2025-12-08
    • 一种新的确定少子产生特性的方法——瞬态电容弛豫谱方法

    • A New Method for Determining the Generation Characteristics of the Minority Carrier Transient Capacitance Relaxation Spectral Analysis Method

    • 电子学报   1999年第5期
    • 中图分类号: TN301
    • 纸质出版:1999

    移动端阅览

  • [1]解冰,何燕冬,许铭真,谭长华.一种新的确定少子产生特性的方法——瞬态电容弛豫谱方法[J].电子学报,1999(05):9-11. DOI:

    Xie Bing, He Yandong, Xu Mingzhen, et al. A New Method for Determining the Generation Characteristics of the Minority Carrier Transient Capacitance Relaxation Spectral Analysis Method[J]. Acta Electronica Sinica, 1999, (5). DOI:

  •  
  •  
icon
试读结束,您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束,您可以通过登录账户,到个人中心,购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员?
去登录 >

0

浏览量

45

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

单色光光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的表面复合修正公式
声表面波存贮相关卷积器的研制

相关作者

阙端麟
陈修治
徐冬良
张朝
赵杰
印建华
水永安

相关机构

浙江大学硅材料国家重点实验室
峨嵋半导体材料研究所
浙江大学硅材料国家重点实验室峨嵋半导体材料研究所
  中国科学技术大学电子工程与信息科学系  
  东南大学电子工程系  
0