半宽度为300ps超快高压电脉冲的产生与研究

刘进元; 山冰

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半宽度为300ps超快高压电脉冲的产生与研究

更新时间：2025-12-08

- 半宽度为300ps超快高压电脉冲的产生与研究
- 300ps Ultrafast High Voltage Electrical Pulse Generation
- 电子学报 1999年第8期
- 作者机构：
  
  中科院西安光机所瞬态光学技术国家重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1999
- 稿件说明：
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[1]刘进元,山冰.半宽度为300ps超快高压电脉冲的产生与研究[J].电子学报,1999(08):134-135.

Liu Jinyuan, Shan Bing. 300ps Ultrafast High Voltage Electrical Pulse Generation[J]. Acta Electronica Sinica, 1999, (8).
[1]刘进元,山冰.半宽度为300ps超快高压电脉冲的产生与研究[J].电子学报,1999(08):134-135. DOI：

Liu Jinyuan, Shan Bing. 300ps Ultrafast High Voltage Electrical Pulse Generation[J]. Acta Electronica Sinica, 1999, (8). DOI：

摘要

本文介绍了一种高压、超快电脉冲的产生技术．该电路采用级联雪崩晶体管．电路用微波传输线结构．输出的电脉冲幅度为１～２ｋＶ、输出阻抗５０Ω、脉冲前后沿小于３００ｐｓ、脉冲半宽度为３００ｐｓ，脉冲幅度和半宽度稳定性优于５％，该电路的触发晃动为±５０ｐｓ，触发延时为８ｎｓ，输出脉冲工作频率小于１ｋＨｚ．

Abstract

The authors have developed an avalanche transistor based pulser.These transistors are mounted on microwave structure board.Thd output voltage ranges from 1～2kV into 50Ω load.The fall and rise time of this pulse is less than 300 picosecond.The pulse width is 300ps

trig jitter is ±50ps

trig delay is about 8ns.The repetition rate is less than 1kHz.

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