利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量

张正选; 罗晋生; 袁仁峰; 何宝平; 姜景和; 罗尹虹

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利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量

更新时间：2025-12-08

- 利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量
- Measurement of Radiation Induced Interface Traps Using the Subthreshold I-V Characteristic of MOSFET
- 电子学报 1999年第11期
- 作者机构：
  
  1. 西安交通大学微电子所!西安710049
  2. 西北核技术研究所,西安710024,西安交通大学微电子所!西安710049,西北核技术研究所!西安710024,西北核技术研究所!西安710024,西北核技术研究所!西安710024,西北核技术研究所!西安710024
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国防预研基金资助课题
- DOI：
  中图分类号： TN407
- 纸质出版：1999
- 稿件说明：
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[1]张正选,罗晋生,袁仁峰,何宝平,姜景和,罗尹虹.利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量[J].电子学报,1999(11):129-130+133.

张正选, 罗晋生, 袁仁峰, et al. Measurement of Radiation Induced Interface Traps Using the Subthreshold I-V Characteristic of MOSFET[J]. Acta Electronica Sinica, 1999, (11).
[1]张正选,罗晋生,袁仁峰,何宝平,姜景和,罗尹虹.利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量[J].电子学报,1999(11):129-130+133. DOI：

张正选, 罗晋生, 袁仁峰, et al. Measurement of Radiation Induced Interface Traps Using the Subthreshold I-V Characteristic of MOSFET[J]. Acta Electronica Sinica, 1999, (11). DOI：

摘要

本文利用MOSFET亚阈IV曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量.分析和讨论了辐射感生的界面陷阱密度依赖于辐射总剂量和辐射剂量率的变化关系

Abstract

This article studies the measurement of radiation induced interface traps using the subthreshold I V characteristic of MOSFET.The radiation induced interface traps which were related to total dose and dose rate were analyzed and discussed.

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