阵列多台阶稀疏技术

李建新

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阵列多台阶稀疏技术

更新时间：2025-12-08

- 阵列多台阶稀疏技术
- Multistep Sparse Technology in Arrays
- 电子学报 1999年第3期页码：79-80
- 作者机构：
  
  1. 南京电子技术研究所403室!南京
  2. 210013
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN82
- 纸质出版：1999
- 稿件说明：
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[1]李建新.阵列多台阶稀疏技术[J].电子学报,1999(03):79-80+78.

Li Jianxin. Multistep Sparse Technology in Arrays[J]. Acta Electronica Sinica, 1999, (3): 79-80.
[1]李建新.阵列多台阶稀疏技术[J].电子学报,1999(03):79-80+78. DOI：

Li Jianxin. Multistep Sparse Technology in Arrays[J]. Acta Electronica Sinica, 1999, (3): 79-80. DOI：

摘要

本文探讨了用多个幅度台阶（包括0和1）对阵列进行稀疏的多台阶稀疏技术，与统计密度锥削稀疏技术（幅度仅用0和1）相比，该技术能明显改善稀疏阵天线的副瓣电平，文中用概率方法和最佳一致逼近概念进行了详细阐述，并给出了峰值副瓣电平低于给定值的概率．

Abstract

The multistep sparse technology （MST） is described in this paper. Using multistep amplitudes （including 0 and 1） the prescribed array can be thinned. Compared with the statistic density tappering technology （only using 0 and 1 ）

MST can improve the sidelobe level of the sparse array obviously. Here

with the help of the Probability Theory and the Optimum and Consistent Aproaching Method

MST is presented in details and the probability of the peak sidelobe level less than the given value is given.

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