新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数

吴春瑜; 朱长纯

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新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数

更新时间：2025-12-08

- 新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数
- The C V Index of Hyperabrupt Varactors on The Basis of a New Model
- 电子学报 1999年第2期
- 作者机构：
  
  1. 辽宁大学电子科学与工程系
  2. 西安交通大学电子与信息工程学院
  3. 辽宁大学电子科学与工程系西安交通大学电子与信息工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金,辽宁省教委自然科学基金
- DOI：
  中图分类号： TN312.101
- 纸质出版：1999
- 稿件说明：
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[1]吴春瑜,朱长纯.新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数[J].电子学报,1999(02):138-139+129.

Wu Chunyu. The C V Index of Hyperabrupt Varactors on The Basis of a New Model[J]. Acta Electronica Sinica, 1999, (2).
[1]吴春瑜,朱长纯.新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数[J].电子学报,1999(02):138-139+129. DOI：

Wu Chunyu. The C V Index of Hyperabrupt Varactors on The Basis of a New Model[J]. Acta Electronica Sinica, 1999, (2). DOI：

摘要

在一种新改进的超突变结变容管杂质分布模型的基础上，对变容管的容压变化指数ｎ与器件的材料和工艺参数之间的关系进行了研究．根据导出的关系进行了数值计算，并绘出实用的关系曲线图

Abstract

The relationship between C V index of varactors and the parameters of materials and technics of the device has been studied on the basis of a new improved impurity profile model of hyperabrupt varactors.Then the numerical calculation and the practical relation curve have been fulfilled.

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