硅微电子技术物理极限的挑战

王阳元; 韩汝琦; 刘晓彦; 康晋锋

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硅微电子技术物理极限的挑战

更新时间：2025-12-08

- 硅微电子技术物理极限的挑战
- The Challenges for Physical Limitations in Si Microelectronics
- 电子学报 1998年第11期页码：77-84
- 作者机构：
  
  1. 北京大学微电子研究所!北京
  2. 1000871
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN40
- 纸质出版：1998
- 稿件说明：
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[1]王阳元,韩汝琦,刘晓彦,康晋锋.硅微电子技术物理极限的挑战[J].电子学报,1998(11):77-84.

王阳元, 韩汝琦, 刘晓彦, et al. The Challenges for Physical Limitations in Si Microelectronics[J]. Acta Electronica Sinica, 1998, (11): 77-84.
[1]王阳元,韩汝琦,刘晓彦,康晋锋.硅微电子技术物理极限的挑战[J].电子学报,1998(11):77-84. DOI：

王阳元, 韩汝琦, 刘晓彦, et al. The Challenges for Physical Limitations in Si Microelectronics[J]. Acta Electronica Sinica, 1998, (11): 77-84. DOI：

摘要

本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高，所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望，并从基本物理规律、材料、工艺技术、器件、电路和系统等几个方面对其来自于基本物理极限和实际的物理限制的挑战进行了讨论其中起源于基本物理规律的基本物理极限是不可逾越的，而在实际发展过程中由于材料、结构、工艺技术及电路和系统方面的一系列具体因素产生的实际物理限制则是有可能突破的同时还探讨了从传统硅微电子技术和新一代量子电子器件两方面突破实际物理限制的可能性

Abstract

The challenges in further development of Si microelectronics

especially MOSFET’s into foe sub 0. 1μm regime in light of fundamental physical effects and practical consideration are discussed.The key issues of physical limitations in Si microelectronics includes: fundamental physical limitations

material limitations

technology limitalions

devices limitations

circuits and system limitations. Several potential alternative devices thai may takes us to the outermost limit-ations of Si MOSFET’s scaling down

such as single electron devices are introduced.

关键词

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