低温大注入多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益的定量模拟

肖志雄; 魏同立

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低温大注入多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益的定量模拟

更新时间：2025-12-08

- 低温大注入多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益的定量模拟
- Quantitative Modeling of the Current Gain at High injection Levels inPolysilicon Emitter Contact Bipolar Transistor at Low Temperatures
- 电子学报 1998年第2期
- 作者机构：
  
  1. 北京大学微电子学研究所
  2. 东南大学微电子中心
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61701067;61702065)
- DOI：
  中图分类号： TP391.9
- 纸质出版：1998
- 稿件说明：
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[1]肖志雄,魏同立.低温大注入多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益的定量模拟[J].电子学报,1998(02):44-48.

肖志雄, 魏同立. Quantitative Modeling of the Current Gain at High injection Levels inPolysilicon Emitter Contact Bipolar Transistor at Low Temperatures[J]. Acta Electronica Sinica, 1998, (2).
[1]肖志雄,魏同立.低温大注入多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益的定量模拟[J].电子学报,1998(02):44-48. DOI：

肖志雄, 魏同立. Quantitative Modeling of the Current Gain at High injection Levels inPolysilicon Emitter Contact Bipolar Transistor at Low Temperatures[J]. Acta Electronica Sinica, 1998, (2). DOI：

摘要

已有的理论和实验都已证明，多晶硅发射极硅双极晶体管适合于低温工作。但至今为止，其完整的大注入时电流增益的理论分析还不成熟，特别是进行定量的计算；本文定量地模拟了低温７７Ｋ和常温３００Ｋ下多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益与集电极电流密度的关系，并且分析了低温和常温下决定该晶体管电流增益大注入效应的主要物理效应，为低温多晶硅发射极硅双极晶体管的设计提供了有益的理论基础。

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