Ge<sub>x</sub>Si<sub>1－x</sub>减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析

金晓军; 梁骏吾

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Ge_xSi_1－x减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析

更新时间：2025-12-08

- Ge_xSi_1－x减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析
- A Kinetics and fluid-Dynamics Analysis of Ge_xSi_1-xLow Pressure Chemical Vapor Epitaxy
- 电子学报 1997年第8期
- 作者机构：
  
  1. 清华大学微电子所
  2. 中国科学院半导体所
  3. 清华大学微电子所中国科学院半导体所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN304
- 纸质出版：1997
- 稿件说明：
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[1]金晓军,梁骏吾.Ge_xSi_（1－x）减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析[J].电子学报,1997(08):14-17.

金晓军, 梁骏吾. A Kinetics and fluid-Dynamics Analysis of Ge_xSi_1-xLow Pressure Chemical Vapor Epitaxy[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8).
[1]金晓军,梁骏吾.Ge_xSi_（1－x）减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析[J].电子学报,1997(08):14-17. DOI：

金晓军, 梁骏吾. A Kinetics and fluid-Dynamics Analysis of Ge_xSi_1-xLow Pressure Chemical Vapor Epitaxy[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8). DOI：

摘要

结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统．计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布、温度分析和反应气体浓度分布的变化．计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳｉ外延层中Ｓｔ、Ｇｅ和ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度与初始ＧｅＨ４流量的关系．从理论上解释了ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度随ＧｅＨ４流量的变化关系，并与Ｐ．Ｍ．Ｇａｒｏｎｅ等人的实验结果进行了比较．

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A Kinetics and fluid-Dynamics Analysis of GexSi1-xLow Pressure Chemical Vapor Epitaxy

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Ge_xSi_1－x减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析

A Kinetics and fluid-Dynamics Analysis of Ge_xSi_1-xLow Pressure Chemical Vapor Epitaxy