Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>薄膜MOS型湿敏元件的机理研究

刘云峰; 陈国平; 张浩康

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Ta₂O₅薄膜MOS型湿敏元件的机理研究

更新时间：2025-12-08

- Ta₂O₅薄膜MOS型湿敏元件的机理研究
- The Research of Mechanism on Ta₂O₅ Thin Film MOS Humidity Sensitivity Component
- 电子学报 1998年第5期页码：83-85
- 作者机构：
  
  1. 东南大学电子工程系!南京
  2. 210096
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN304.9
- 纸质出版：1998
- 稿件说明：
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[1]刘云峰,陈国平,张浩康.Ta_2O_5薄膜MOS型湿敏元件的机理研究[J].电子学报,1998(05):83-85.

刘云峰, 陈国平, 张浩康. The Research of Mechanism on Ta₂O₅ Thin Film MOS Humidity Sensitivity Component[J]. Acta Electronica Sinica, 1998, (5): 83-85.
[1]刘云峰,陈国平,张浩康.Ta_2O_5薄膜MOS型湿敏元件的机理研究[J].电子学报,1998(05):83-85. DOI：

刘云峰, 陈国平, 张浩康. The Research of Mechanism on Ta₂O₅ Thin Film MOS Humidity Sensitivity Component[J]. Acta Electronica Sinica, 1998, (5): 83-85. DOI：

摘要

使用直流磁控反应溅射的工艺方法制备了Ta2O5薄膜MOS型湿敏元件，提出了元件的结构模型，并对其感湿机理进行了讨论．

Abstract

A Ta2O5 thin film MOS humidity sensitive component was prepared by dc magnetron reactive sputtering. The structure model of this component was presented and the mechanism of humidity sensitivity was discussed.

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Ta2O5薄膜MOS型湿敏元件的机理研究

The Research of Mechanism on Ta2O5 Thin Film MOS Humidity Sensitivity Component

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