Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器共平面电极微波特性的分析

杨建义; 周强; 吴志武; 灵通锡; 王明华

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Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器共平面电极微波特性的分析

更新时间：2025-12-08

- Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器共平面电极微波特性的分析
- Microwave Characteristics Analysis of Coplanar Electrodes in Ⅲ－Ⅴ Semiconductors Traveling-Wave Modulators
- 电子学报 1997年第8期
- 作者机构：
  
  浙江大学信息与电子工程学系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61701067;61702065)
- DOI：
  中图分类号： TN76
- 纸质出版：1997
- 稿件说明：
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[1]杨建义,周强,吴志武,灵通锡,王明华.Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器共平面电极微波特性的分析[J].电子学报,1997(08):18-22.

杨建义, 周强, 吴志武, et al. Microwave Characteristics Analysis of Coplanar Electrodes in Ⅲ－Ⅴ Semiconductors Traveling-Wave Modulators[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8).
[1]杨建义,周强,吴志武,灵通锡,王明华.Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器共平面电极微波特性的分析[J].电子学报,1997(08):18-22. DOI：

杨建义, 周强, 吴志武, et al. Microwave Characteristics Analysis of Coplanar Electrodes in Ⅲ－Ⅴ Semiconductors Traveling-Wave Modulators[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8). DOI：

摘要

本文用直线法分析了具有半绝缘衬底和ｎ＋重掺杂外延层的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器中共平面行波电极的微波特性．首先指出了在这种共平面微波带线中奇对称模和偶对称模的不同作用，由此详细地分析了调制器各结构参数对奇对称模特性的作用．在对微波特性分析的基础上，设计出了高速行波光波导调制器的结构，器件的理论带宽可大于４０ＧＨｚ．最后对分析获得的微波特性进行了讨论，指出了用准静态法分析微波特性的可能性．

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Microwave Characteristics Analysis of Coplanar Electrodes in Ⅲ－Ⅴ Semiconductors Traveling-Wave Modulators

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