Ku波段无耗型MESFET混频器单片电路研究

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更新时间：2025-12-08

- Ku波段无耗型MESFET混频器单片电路研究
- Research of Ku-Band Non-Dissipative MESFET Mixer MMIC
- 电子学报 1997年第8期
- 作者机构：
  
  1. 北京微电子技术研究所
  2. 清华大学电子工程系
  3. 南京电子器件研究所
  4. 北京微电子技术研究所清华大学电子工程系南京电子器件研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN773
- 纸质出版：1997
- 稿件说明：
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[1]孙迎新,高葆新,林金庭.Ku波段无耗型MESFET混频器单片电路研究[J].电子学报,1997(08):28-32.

孙迎新, 高葆新, 林金庭. Research of Ku-Band Non-Dissipative MESFET Mixer MMIC[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8).
[1]孙迎新,高葆新,林金庭.Ku波段无耗型MESFET混频器单片电路研究[J].电子学报,1997(08):28-32. DOI：

孙迎新, 高葆新, 林金庭. Research of Ku-Band Non-Dissipative MESFET Mixer MMIC[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8). DOI：

本文对无耗型ＭＥＳＦＥＴＮ极注入混频器电路工作原理进行了分析，在对这种混频器进行ＣＡＤ研究中，提出了ＭＥＳＦＥＴ模型扩展技术，在此基础上进行了Ｋｕ波段无耗型ＭＥＳ－ＦＥＴ混频器单片集成电路的设计与研制，混频器电路的测试结果与计算相符，性能达到：变频增益－２ｄＢ，，噪声系数７～８ｄＢ．

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