突变结构的复合腔高频场研究

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突变结构的复合腔高频场研究

更新时间：2025-12-08

- 突变结构的复合腔高频场研究
- Study of RF Field in Complex Cavities with Abrupt Transitions
- 电子学报 1997年第12期
- 作者机构：
  
  电子科技大学高能电子学研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN62
- 纸质出版：1997
- 稿件说明：
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[1]杨仕文,李宏福.突变结构的复合腔高频场研究[J].电子学报,1997(12):40-44.

杨仕文, 李宏福. Study of RF Field in Complex Cavities with Abrupt Transitions[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (12).
[1]杨仕文,李宏福.突变结构的复合腔高频场研究[J].电子学报,1997(12):40-44. DOI：

杨仕文, 李宏福. Study of RF Field in Complex Cavities with Abrupt Transitions[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (12). DOI：

从模式场匹配理论出发系统地研究了回旋管中过渡段突变这一类复合腔的高频场结构，并考虑了ＴＭ型寄生模式的影响．研究了诸多因素的变化对谐振频率、Ｑ值以及轴向场分布的影响

Abstract: Based on modal field expansion techniqUes

the rf field structares of complex cavity withabrupt iran$1tions in gyrotrons are systematically studied

and the influences of TM type spurious modes are takeninto account. Many factors and changes which affect the resonant freqUencies

Q factors and axial field Profilesare also inveshgatedKeywoads: Waveguide step

Complex cavity

Modal field match

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