P型Si<sub>1－x</sub>Ge<sub>x</sub>应变层中重掺杂禁带窄变的计算

吴文刚; 江德生; 罗晋生

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P型Si_1－xGe_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算

更新时间：2025-12-08

- P型Si_1－xGe_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算
- Calculation of the Bandgap Narrowing Due to Heavy Doping in p-Type Strained Si1-xGex Layers
- 电子学报 1997年第8期
- 作者机构：
  
  1. 半导体超晶格国家重点实验室
  2. 中国科学院半导体研究所
  3. 西安交通大学电子工程系微电子研究室
  4. 半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所西安交通大学电子工程系微电子研究室
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN304
- 纸质出版：1997
- 稿件说明：
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[1]吴文刚,江德生,罗晋生.P型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算[J].电子学报,1997(08):90-92.

吴文刚, 江德生, 罗晋生. Calculation of the Bandgap Narrowing Due to Heavy Doping in p-Type Strained Si1-xGex Layers[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8).
[1]吴文刚,江德生,罗晋生.P型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算[J].电子学报,1997(08):90-92. DOI：

吴文刚, 江德生, 罗晋生. Calculation of the Bandgap Narrowing Due to Heavy Doping in p-Type Strained Si1-xGex Layers[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8). DOI：

摘要

本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型．借助这个模型，计算了赝晶生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２～３×１０１９ｃｍ－３后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此浓度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降．与实验报道的对比证实了本模型的有效性．

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