SOI栅控混合管（GCHT）集电极电流的解析模型

黄如; 王阳元; 韩汝琦

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SOI栅控混合管（GCHT）集电极电流的解析模型

更新时间：2025-12-08

- SOI栅控混合管（GCHT）集电极电流的解析模型
- Modeling for the Collector Current in SOI Gate－Controlled Hybrid Transistor
- 电子学报 1997年第8期
- 作者机构：
  
  北京大学微电子所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN12
- 纸质出版：1997
- 稿件说明：
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[1]黄如,王阳元,韩汝琦.SOI栅控混合管（GCHT）集电极电流的解析模型[J].电子学报,1997(08):109-112.

黄如, 王阳元, 韩汝琦. Modeling for the Collector Current in SOI Gate－Controlled Hybrid Transistor[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8).
[1]黄如,王阳元,韩汝琦.SOI栅控混合管（GCHT）集电极电流的解析模型[J].电子学报,1997(08):109-112. DOI：

黄如, 王阳元, 韩汝琦. Modeling for the Collector Current in SOI Gate－Controlled Hybrid Transistor[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8). DOI：

摘要

本文在分析栅控混合管（ＧＣＨＴ）物理机制的基础上，提出了一种新的计算ＳＯＩ／ＧＣＨＴ集电极电流的解析模型．在同时考虑扩散及漂移电流的基础上，建立了栅控电流模型，确立了表面势与外加基极电压的关系．从而成功地解释了混合器件与相应双极器件在高基极电压下集电极电流趋向一致的实验现象，模型计算结果与ＰＩＳＣＥＳ模拟结果及实验结果吻合较好．

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