电解液－Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究

牛蒙年; 丁辛芳; 童勤义

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电解液－Si₃N₄绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究

更新时间：2025-12-08

- 电解液－Si₃N₄绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究
- A Study of Surface-Site/Recombination Center Model for Electrolyte-Insulator（Si₃N₄）Interface
- 电子学报 1996年第11期
- 作者机构：
  
  1. 中科院上海冶金所
  2. 东南大学微电子中心
  3. 中科院上海冶金所东南大学微电子中心
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：1996
- 稿件说明：
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[1]牛蒙年,丁辛芳,童勤义.电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究[J].电子学报,1996(11):38-42.

Niu Mengnian. A Study of Surface-Site/Recombination Center Model for Electrolyte-Insulator（Si₃N₄）Interface[J]. Acta Electronica Sinica, 1996, (11).
[1]牛蒙年,丁辛芳,童勤义.电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究[J].电子学报,1996(11):38-42. DOI：

Niu Mengnian. A Study of Surface-Site/Recombination Center Model for Electrolyte-Insulator（Si₃N₄）Interface[J]. Acta Electronica Sinica, 1996, (11). DOI：

摘要

本文在表面基模型基础上，借用半导体物理中复合／产生概念，提出表面基／复合中心模型，并研究了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比率对Ｓｉ３Ｎ４栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ敏感性能和稳定性的影响，其结果与实验结果相符。对改善ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的敏感特性具有实际指导意义。

Abstract

Based on the site-binding model

being the recombination/generation concept of semiconductor physics for reference

a surface-site/recombination center model for the process of H+-ion dissociation-association in electrolyte-insulator（E-I） interface is presented.The effect of the Si3N4 insulator which contains two types of surface-sites and the ratio of silanol site to amine site on sensitive characteristic and stability of Si3N4-gate pH-ISFET is also discussed

and the results correspond with experimental results.It is useful in improving sensitive characteristic of pHISFET sensors.

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A Study of Surface-Site/Recombination Center Model for Electrolyte-Insulator（Si3N4）Interface

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电解液－Si₃N₄绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究

A Study of Surface-Site/Recombination Center Model for Electrolyte-Insulator（Si₃N₄）Interface