非晶硅基合金多结太阳电池光电特性的模拟计算分析

吴春亚; 耿新华; 孙钟林

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

非晶硅基合金多结太阳电池光电特性的模拟计算分析

更新时间：2025-12-08

- 非晶硅基合金多结太阳电池光电特性的模拟计算分析
- Modeling Analysis of Photoeletronic Performance of Multijunction a-Si Based Alloy Solar Cells
- 电子学报 1996年第8期
- 作者机构：
  
  南开大学光电子所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TM914.401
- 纸质出版：1996
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]吴春亚,耿新华,孙钟林.非晶硅基合金多结太阳电池光电特性的模拟计算分析[J].电子学报,1996(08):37-43.

吴春亚, 耿新华, 孙钟林. Modeling Analysis of Photoeletronic Performance of Multijunction a-Si Based Alloy Solar Cells[J]. Acta Electronica Sinica, 1996, (8).
[1]吴春亚,耿新华,孙钟林.非晶硅基合金多结太阳电池光电特性的模拟计算分析[J].电子学报,1996(08):37-43. DOI：

吴春亚, 耿新华, 孙钟林. Modeling Analysis of Photoeletronic Performance of Multijunction a-Si Based Alloy Solar Cells[J]. Acta Electronica Sinica, 1996, (8). DOI：

摘要

本文提出以各子电池的载流子输运方程为基础、用串联等效的方法模拟多结电池的Ｊ－Ｖ特性．并用该方法模拟分析了Ｐ／Ｉ界面态．Ｐ／Ｉ缓冲层带隙梯度对Ｇｌａｓｓ／ＴＣＯ／ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／Ａｌ双结电池光电特性的影响、各子电池本征层为常数带隙的Ｇｌａｓｓ／ＴＣＯ／ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ／Ａｌ三结电池的光电特性及其所存在的优势．

Abstract

Based on the carrier transportation equations of each subcell and equivalent series connection theory

a method of modeling the J-V. characteristics of multijunction solar cells is presented. With the computed results

the effects of P/I interface state and band-gap gradient of P/I buffer layer on the photoelectronic performance of Glass/TCO/a-Si/a-Si/Al tandem cells are analysed. The estimated performance and advantages of Glass/TCO/a-Si/a-Si/a-SiGe/Al triple cells are also presented.

关键词

Keywords

references

浏览量

114

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据