薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究

张少强; 徐重阳; 邹雪城; 赵伯芳; 周雪梅; 王长安; 戴永兵

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薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究

更新时间：2025-12-08

- 薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究
- The Study of The Characteristics of a-Si:H TFT With Thin Active Layer Structure
- 电子学报 1997年第2期
- 作者机构：
  
  华中理工大学团体电子学系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN32
- 纸质出版：1997
- 稿件说明：
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[1]张少强,徐重阳,邹雪城,赵伯芳,周雪梅,王长安,戴永兵.薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究[J].电子学报,1997(02):53-56.

张少强, 徐重阳, 邹雪城, et al. The Study of The Characteristics of a-Si:H TFT With Thin Active Layer Structure[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (2).
[1]张少强,徐重阳,邹雪城,赵伯芳,周雪梅,王长安,戴永兵.薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究[J].电子学报,1997(02):53-56. DOI：

张少强, 徐重阳, 邹雪城, et al. The Study of The Characteristics of a-Si:H TFT With Thin Active Layer Structure[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (2). DOI：

摘要

本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的影响明显增大．文中详细分析了有源层背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，从表面有效空间电荷层的概念出发，从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系，计算的临界有源层厚度为１３０ｎｍ，这与实验结果基本一致．关键词

Abstract

The a-St: H TFT with thin active layer structure is studied in this paper. The experimental results show that the characteristics of a-Si: H TFT vary when the a-Si: H thickness is smaller than some critical value. The effects of the space charge in the active layer rear surface on the a-Si: H TFT characteristics are discussed in detail. The dependence of the threshold voltage on the active layer thickness is calculated with the effective surface space charge layer model

and the critical active layer thickness is 130nm

which is baSically consistent with experiment results.

关键词

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