真空微二极管发射特性的解析解

宫玉彬; 王文祥; 谢克难

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真空微二极管发射特性的解析解

更新时间：2025-12-08

- 真空微二极管发射特性的解析解
- Analytic Solution of the Emission Characteristic of Vacuum Microelectronic Diode
- 电子学报 1997年第3期
- 作者机构：
  
  成都电子科技大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN11+1
- 纸质出版：1997
- 稿件说明：
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[1]宫玉彬,王文祥,谢克难.真空微二极管发射特性的解析解[J].电子学报,1997(03):108-110.

宫玉彬, 王文祥, 谢克难. Analytic Solution of the Emission Characteristic of Vacuum Microelectronic Diode[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (3).
[1]宫玉彬,王文祥,谢克难.真空微二极管发射特性的解析解[J].电子学报,1997(03):108-110. DOI：

宫玉彬, 王文祥, 谢克难. Analytic Solution of the Emission Characteristic of Vacuum Microelectronic Diode[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (3). DOI：

摘要

通过保角变换方法，对具有椭圆锥形发射体的真空微电子二极管进行了研究，求得了二极管区域内电位分布和电场分布的解析表达式，进而得到了电场强度和场致发射电流密度与尖端曲率之间的关系．

Abstract

By means of the conformal mapping

the analytic expressions of the electric potential and field distribution within the region of the diode which has a oval pyramid emission cathodare obtained. The relationships of electric field at the emitter tip and current density of the field emission versus the tip curvature are calculated.

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