MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究

李学宁; 唐茂成; 李肇基; 李原; 刘玉书

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MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究

更新时间：2025-12-08

- MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究
- The Investigation of Triple Diffusion Process for MOS-Controlled Thyristor
- 电子学报 1996年第5期
- 作者机构：
  
  1. 成都电子科技大学微电子所
  2. 骊山微电子研究所
  3. 成都电子科技大学微电子所骊山微电子研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61701067;61702065)
- DOI：
  中图分类号： TN342.054
- 纸质出版：1996
- 稿件说明：
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[1]李学宁,唐茂成,李肇基,李原,刘玉书.MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究[J].电子学报,1996(05):63-66.

李学宁, 唐茂成, 李肇基, et al. The Investigation of Triple Diffusion Process for MOS-Controlled Thyristor[J]. Acta Electronica Sinica, 1996, (5).
[1]李学宁,唐茂成,李肇基,李原,刘玉书.MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究[J].电子学报,1996(05):63-66. DOI：

李学宁, 唐茂成, 李肇基, et al. The Investigation of Triple Diffusion Process for MOS-Controlled Thyristor[J]. Acta Electronica Sinica, 1996, (5). DOI：

摘要

本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构ＤＯＦＭ－ＣＴ器件，其电流可控能力达１３４Ａ／ｃｍ２。

Abstract

The key fabricating process of MCT-the triple diffusion is investigated. The process conditions are obtained by process simulator SUPREM-Ⅲ. The measurement results of spreading resistance

bevel and sheet resistance indicate that optimum design and fabrication are fulfilled. The new structure of DOFMCT with turn off capability of 134A/cm2 is designed and fabricated successfully

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