用MOS－DYL工艺结构实现模糊逻辑功能

郑启伦; 赵明; 兰斌; 黄贯光

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用MOS－DYL工艺结构实现模糊逻辑功能

更新时间：2025-12-08

- 用MOS－DYL工艺结构实现模糊逻辑功能
- The Implementation of Fuzzy Logic Functions by Using MOS-DYL IC Structure
- 电子学报 1995年第11期
- 作者机构：
  
  广州华南理工大学
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61701067;61702065)
- DOI：
  中图分类号： TN791.05
- 纸质出版：1995
- 稿件说明：
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[1]郑启伦,赵明,兰斌,黄贯光.用MOS－DYL工艺结构实现模糊逻辑功能[J].电子学报,1995(11):50-54.

郑启伦, 赵明, 兰斌, et al. The Implementation of Fuzzy Logic Functions by Using MOS-DYL IC Structure[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (11).
[1]郑启伦,赵明,兰斌,黄贯光.用MOS－DYL工艺结构实现模糊逻辑功能[J].电子学报,1995(11):50-54. DOI：

郑启伦, 赵明, 兰斌, et al. The Implementation of Fuzzy Logic Functions by Using MOS-DYL IC Structure[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (11). DOI：

摘要

为了在同一芯片上构造一种高速的模糊逻辑单片系统，本文采用电压型ＤＹＬ工艺与电流型ＭＯＳ工艺相结合的方法，设计了９种实现模糊逻辑基本功能的电路，并通过实验证明其可行性。

Abstract

DYL process of voltage mode has been combined with MOS technology of current mode to construct the highspeed single chipsystem of fuzzy logic. The nine circuits are designed to realize the basic functions of fuzzy logic

and the feasibility has been testified by experiments.

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