高速半导体激光器等效参数的提取

吴正德; 张志军; 樊勇; 唐小宏

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高速半导体激光器等效参数的提取

更新时间：2025-12-08

- 高速半导体激光器等效参数的提取
- Extraction of Equivalent Parameter of High Speed Semiconductor Laser Diode
- 电子学报 1995年第11期
- 作者机构：
  
  成都电子科技大学应用物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN248.4
- 纸质出版：1995
- 稿件说明：
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[1]吴正德,张志军,樊勇,唐小宏.高速半导体激光器等效参数的提取[J].电子学报,1995(11):70-73.

吴正德, 张志军, 樊勇, et al. Extraction of Equivalent Parameter of High Speed Semiconductor Laser Diode[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (11).
[1]吴正德,张志军,樊勇,唐小宏.高速半导体激光器等效参数的提取[J].电子学报,1995(11):70-73. DOI：

吴正德, 张志军, 樊勇, et al. Extraction of Equivalent Parameter of High Speed Semiconductor Laser Diode[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (11). DOI：

摘要

本文克服了背地共面线谐振现象的有害影响，制作了国产高速半导体激光器非匹配微波封装组件，测试了组件的频响特性，由此提取了器件的等效参数，讨论了改善国产器件性能的技术途径。

Abstract

After overcoming the bad effect of the resonance phenomena on the back-ground CPW

a non-matching microwave package is developed for the laser diode （LD） made in China. Its frequency response to the direct modulation is measured. Then the equivalent parameters of LD are extracted. The technical way is discussed to improve the properties of LD in China.

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