微波集成MESFET放大器的全自动设计

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

微波集成MESFET放大器的全自动设计

更新时间：2025-12-08

- 微波集成MESFET放大器的全自动设计
- The Omni-Automatic Design of MIC MES FET Amplifiers
- 电子学报 1996年第2期
- 作者机构：
  
  天津大学电子工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61701067;61702065)
- DOI：
  中图分类号： TN454.02
- 纸质出版：1996
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]李呜,田洪海,李玉宏,吴咏诗.微波集成MESFET放大器的全自动设计[J].电子学报,1996(02):83-85.

李呜, 田洪海, 李玉宏, et al. The Omni-Automatic Design of MIC MES FET Amplifiers[J]. Acta Electronica Sinica, 1996, (2).
[1]李呜,田洪海,李玉宏,吴咏诗.微波集成MESFET放大器的全自动设计[J].电子学报,1996(02):83-85. DOI：

李呜, 田洪海, 李玉宏, et al. The Omni-Automatic Design of MIC MES FET Amplifiers[J]. Acta Electronica Sinica, 1996, (2). DOI：

本文发表了一种ＭＩＣＭＥＳＦＥＴ放大器的全自动设计方法，通常需要由设计者本人设定的初始考虑和网络拓扑，在这个基于知识库的智能化设计方法中全部可以机助自动确定，因而可提高设计质量。

A procedure for omni-automatic design of MIC MES FET amplifiers is presested.All the initial considerations and the topology of matching networks

which usually must be determined by designer himself

can be computer-aided determined automatically by this knowledge-based intelligent design method

therefore

the design quality is improved.

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

太赫兹波导封装技术的研究与应用

一种适用于高速高精度流水线ADC的放大器

微波集成电路特定长度并联传输线的滤波特性

基于大信号模型的L波段400W高效GaN功率放大器设计