一种新的超突变结电容电压方程

吴春瑜; 朱长纯; 张九惠

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一种新的超突变结电容电压方程

更新时间：2025-12-08

- 一种新的超突变结电容电压方程
- A New Equation for Capacitance-Voltage Characteristic of the Hyperabrupt Varactors
- 电子学报 1995年第11期
- 作者机构：
  
  1. 西安交通大学电子工程系
  2. 辽宁大学电子科学与工程系
  3. 西安交通大学电子工程系辽宁大学电子科学与工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61701067;61702065)
- DOI：
  中图分类号： TN312.1
- 纸质出版：1995
- 稿件说明：
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[1]吴春瑜,朱长纯,张九惠.一种新的超突变结电容电压方程[J].电子学报,1995(11):99-101.

吴春瑜, 朱长纯, 张九惠. A New Equation for Capacitance-Voltage Characteristic of the Hyperabrupt Varactors[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (11).
[1]吴春瑜,朱长纯,张九惠.一种新的超突变结电容电压方程[J].电子学报,1995(11):99-101. DOI：

吴春瑜, 朱长纯, 张九惠. A New Equation for Capacitance-Voltage Characteristic of the Hyperabrupt Varactors[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (11). DOI：

摘要

本文对超突变结构变容二极管进行了深入的研究，在改进的杂质分布模型基础上，推出一种新的超突变结构电容电压特性方程，方程中的主要参数与实际工艺参数一致，解决了以往模型在这方面的不足。

Abstract

A more practical capacitance-voltage characteristic equation is derived on the basis of theoretic analysis on variable capacitance diode. A modified impurity distribution model is introduced to solve the problem that the main parameters of the model do not concur with the practical parameters.

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