薄膜亚微米CMOS／SOS工艺的开发及其器件的研制

张兴; 石涌泉; 黄敞

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薄膜亚微米CMOS／SOS工艺的开发及其器件的研制

更新时间：2025-12-08

- 薄膜亚微米CMOS／SOS工艺的开发及其器件的研制
- Development of Thin Film Submicron CMOS/SOS Process and Fabrication of the Devices
- 电子学报 1995年第8期
- 作者机构：
  
  1. 北京大学微电子学研究所
  2. 陕西微电子学研究所
  3. 北京大学微电子学研究所陕西微电子学研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN304.055
- 纸质出版：1995
- 稿件说明：
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[1]张兴,石涌泉,黄敞.薄膜亚微米CMOS／SOS工艺的开发及其器件的研制[J].电子学报,1995(08):24-28.

Zhang Xing. Development of Thin Film Submicron CMOS/SOS Process and Fabrication of the Devices[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (8).
[1]张兴,石涌泉,黄敞.薄膜亚微米CMOS／SOS工艺的开发及其器件的研制[J].电子学报,1995(08):24-28. DOI：

Zhang Xing. Development of Thin Film Submicron CMOS/SOS Process and Fabrication of the Devices[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (8). DOI：

摘要

本文较为详细地介绍了薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺技术的开发过程，薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺主要包括双固相外延、双层胶光刻形成亚微米细线条硅栅、Ｈ２－Ｏ２合成氧化薄栅氧化层以及快速退火等新的工艺技术，利用这套工艺成功地研制出了高性能薄膜亚微米（实际沟道长度为０．５８μｍ）ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和门延迟时间仅为１７７ｐｓ的１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器。与厚膜器件相比，薄膜全耗尽器件和电路的性能得到了明显的提高。

Abstract

A thin film submicron CMOS/SOS fabrication process has been developed.The process includes mainly DSPE（Double Solid Phase Epitaxy） technology-a method to get high performance of SOS material

double layer resist lithography and RIE submicron polysilicon gate process

thin gate oxidation process using H2-O2

and RTA（Rapid Thermal Annealing） technology.High performance fully depleted CMOS/SOS devices and 19-stages CMOS/SOS ring oscillators with 177ps stage delay have been obtained using the process.Remarkable improvement of performance of thinfilm fully-depleted CMOS/SOS devices has been achieved.

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